SRAMs - warum NETSOLs neue Speicherzellentechnik inzwischen der bessere Weg ist

SRAM-Memory Produkte werden heute als Commodities gehandelt. Es sind also zumeist standardisierte Pinouts und Funktionen – die meisten Produkte von CYPRESS, ISSI, RENESAS, LYONTEK, GSI, NETSOL und andere sind untereinander pin- und funktionskompatibel. Natürlich weiß man aus Erfahrung, daß je nach Taktfrequenz SRAM nicht gleich SRAM ist, insbesondere wenn es sich um unterschiedliche CMOS Fertigungsprozesse handelt. Bei den asynchronen und synchronen SRAMs benutzen heute die führenden Hersteller 65nm CMOS Prozesse, um durch möglichst kleine Transistoren die Chipfläche klein zu halten und so die Anzahl der Chips pro Wafer zu erhöhen. Bei CMOS-Prozessen unterhalb 90nm treten aber eine ganze Menge Effekte wie Leckströme und interne Laufzeitprobleme etc. auf, die dazu führen, daß eigentlich alle Speicherbausteine heute eine ECC-Funktion beinhalten (Error-Correcting Code) müssen, um die Datenintegrität sicherzustellen.

Um die ECC-Funktion zu umgehen, und ein stabiles SRAM zu bauen, hat der im Jahre 2010 gegründete, koreanische Memory-Hersteller NETSOL mit Hilfe von SAMSUNG-Ingenieuren eine SRAM-Zelle entwickelt, die im Durchschnitt um 40-50% kleiner ist als jene der Wettbewerber (Vergleich z.B. basierend auf dem 4Mb SRAM) und stets mit dem bewährten und kostengünstigen 90nm CMOS-Prozess auskommt. Durch einen sehr symmetrischen Zellenaufbau und die Verwendung von nur zwei Metall-Layern (andere Hersteller benötigen drei Metall-Layer) konnte auch die Anzahl der internen Durchkontaktierungen (Vias) auf nur ca. zehn reduziert werden (andere Hersteller brauchen bis zu sechszehn). Natürlich sind auch bei einem 90nm CMOS Produkt die Maskenkosten zur Fertigung der Wafer erheblich günstiger als bei 65nm oder darunter. Alles in allem ergibt sich ein äußerst robuster SRAM-Speicher, welcher bestens geeignet ist für anspruchsvolle Applikationen in der Automatisierung, der Medizintechnik und im Automobil unter erhöhter Temperaturbelastung. NETSOL gibt die daraus resultierenden wirtschaftlichen Vorteile an seine Kunden weiter und bietet stets einen wettbewerbsfähigen Preis, der es ermöglicht, ein 4Mb Fast oder Low-Power SRAM für unter 1 U$ (10k Preis) anzubieten. In Europa vertrauen bereits hunderte Kunden im Bereich Industrieautomatisierung und Medizintechnik auf NETSOLs Speicher-ICs.

Weitere NETSOL Vorteile, die heutzutage nicht selbstverständlich sind:

  • Garantierte Langzeitverfügbarkeit von 10 Jahren
  • Alle gängigen Gehäuse: TSSOP, FBGA, sTSOP, TQFP …
  • Verschiedene Speed-Grades
  • Wide- oder Fixed-Supply Voltage Range
  • Kurze Lieferzeiten von 8 Wochen
  • TS1649-zertifizierte Produkte
  • Produkte auch im erweiterten Temperaturbereich von -40 - +125°C
  • auch im militärischem Temperaturbereich -55 - +125°C verfügbar

Das aktuelle Produktportfolio läßt keine Wünsche offen und bietet zu allen gängigen SRAMs vollkompatible Typen.  

  • Low Power async SRAMs: 1 Mb, 2 Mb, 4  Mb, 8 Mb, 16 Mb, 32 Mb
  • Fast async SRAMs: 1 Mb, 2 Mb, 4  Mb, 8 Mb, 16 Mb, 32 Mb
  • Sync SRAMs: 4 Mb, 9 Mb, 18 Mb, 36 Mb, 72 Mb
    • Alle Sync SRAMs in Pipe Burst, Flow Through, NT Pipe Burst, NT Flow Through verfügbar
  • DDR SRAMs: 18 Mb, 36 Mb, 72 Mb
  • Quad SRAMs: 18 Mb, 36 Mb, 72 Mb, 144 Mb

ViMOS Technologies GmbH, der europäische Distributor mit Sitz in München/Taufkirchen, versorgt alle neuen Kunden mit kostenlosen Qualifizierungsmustern, um diese Technik zu testen und final freizugeben.

 

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